华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心
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吴燕庆

发布日期:2017-06-29    作者:     来源:     点击:

姓名:吴燕庆

职称:教授

电话027-87792334-8118

电子邮箱yqwu#mail.hust.edu.cn(请将#换成@

 

个人基本情况(主要受教育经历、主要工作经历)

教授,博导。2001.09-2005.07复旦大学微电子学系理学学士,2005. 08-2009.12美国普度大学电子与计算机工程系博士。曾经在国际知名期刊Nature, Science, Nature Nanotechnology, Nano Letters, ACS Nano, Proceedings of the IEEEIEEE Electron Device Letter,国际顶级电子器件会议IEDM以及器件研究会议DRC等共发表50 多篇文章,包括第一作者Nature一篇与IEDM四篇。过去五年中文章被引用超过2500 次。在化合物半导体及石墨烯晶体管工作被包括NatureChemical & Engineering NewIEEE Spectrum Science Daily 等报道。曾获2007年国际半导体器件研讨会最佳学生报告奖,2009年度IBM全球博士生英才奖。2012IBM专利申请发明成果奖。被邀在2010年美国材料学会春季会议, 2010年美国电化学会会议, 2010年国际磷化铟及相关材料国际会议,2011年材料学会春季会议,2012年日本半导体年会,2013年第八届中国功能材料及其应用学术会议,中国物理学会2013年秋季学术会议, 2013年纳米、表面和Graphene科学与技术全国会议,2014年第十二届固态和集成电路技术国际会议,以及2014年第一届国际层状材料学术会议上作特邀报告。已受理或授权美国专利4项。2012年入选第二批中组部“青年千人计划”,湖北省特聘专家。

 

研究领域

长期从事半导体微纳电子器件与电路设计与制备,电学测量,微波测量与光电测量。在化合物半导体砷化镓,氮化镓及碳化硅,以及新材料石墨烯,二硫化钼等研究领域有广泛经验。

 

学术兼职/承担的项目与课题

1)国家重点研发计划,2016YFA0401701,超强脉冲磁体理论与设计,2016/07-2020/06,500万,主持;

2)教育部新世纪优秀人才支持计划, NCET-12-022090-100 T 级脉冲磁体中纤维加固材料力学行为研究,2013/01-2015/1250万、主持;

3)国家自然科学基金青年基金项目,51207066,脉冲磁体绝缘破坏机理及诊断技术研究,2013/01-2015/1227万元,参与;

4)国家自然科学基金面上项目,5117706480 T级脉冲磁体力学特性理论与实验研究,2012/01-2015/1252万元,主持;

5)国家自然科学基金杰出青年基金项目,制作工艺和放电过程对磁体极限指标的作用机理,508880022009/01-2012/12100万,参与;

6)国家十一五重大科技基础设施,发改高技【20072938号、脉冲强磁场实验装置,2008/4-2013/41.3885亿,参与(磁体系统负责人)

7)国家自然科学基金青年基金项目,50707011,高性能脉冲磁体强制冷却技术研究,2008/01-2010/1222万元,主持;

8)科技部国家合作项目,国科外函【2002371,超强脉冲磁场开发研究,2003/01-2004/12,7.1万欧元,参与。

 

代表性成果(近年的教学和科研成果、专著与论文、专利、获奖)