题目：XAFS技术在磁半导体研究中的应用

报告人：闫文盛 研究员

        中国科学技术大学国家同步辐射实验室

时间：2019年12月25日（周三）下午15:00

地点：国家脉冲强磁场科学中心C204

报告摘要:

同步辐射XAS技术因具有元素分辨性、局域结构和电子结构敏感性而成为当前物质材料结构分析中的重要研究手段。报告人以过渡金属掺杂的半导体材料为例，通过近边实空间多重散射理论计算和扩展边定量拟合方法介绍了XAS技术在确定掺杂原子的价态、空间占据位置、局城电子结构特征以及相含量与缺陷方面的应用。在此基础上，结合第一性原理计算，建立了通过XAS技术获得的微观结构信息与宏观性能之间的内在联系。

报告人简介:

闫文盛，中国科学技术大学国家同步辐射实验室研究员、博士生导师，国家同步辐射实验室磁圆二色站负责人。2003年于中国科学技术大学物理系获博士学位。多年来一直从事X射线吸收谱学技术的建立及应用的研究工作，利用X射线吸收谱学技术探索了量子功能材料的原子和电子结构，揭示维度、结构和宏观性能之间的内在联系，在Nat. Commun.. J. Am. Chem. Soc、Adv. Mater、ACS Nano和Appl. Phys. Lett.等期刊上发表了系列研究论文。目前，已发表SCI论文120余篇，他引5000余次，承担了包括基金委重点课题在内的国家自然科学基金10余项。