2014年6月19日至20日，第二届“冯·克利钦”讲座在我校强磁场中心顺利举办。本次讲座为期两天，分为学术报告会和专题研讨会两个部分。

在第一天的学术报告会上，日本东京工业大学物理系（凝聚态物理理论）终身教授ANDO为大家详细地讲解了碳纳米管中的量子输运和激子吸收现象，内容涉及背散射缺失、声子和电子散射、拓扑缺陷，双光子吸收、激子吸收、A-B效应、垂直激发、环境影响和高阶效应等多个方面。此外他还讲述了石墨烯中正旋抗磁极化率、多层石墨烯特性、电子声子相互作用及其独特的输运特性等多项内容。丰富的信息量和精彩的讲解，让到场聆听讲座的师生受益匪浅。

次日，主题为“量子磁性和阻挫物理”的研讨会在中心C204会议室召开，来自上海交通学，中国科技大学，中国科学院福建物质结构研究所，中国人民大学，武汉大学等国内知名学府的多位专家就脉冲强磁场下低维量子磁体，阻挫物理研究这一前沿研究领域从样品设计与生长、结构分析、物性测量和理论研究等方面进行了广泛研讨。经过充分讨论，与会专家一致希望武汉国家脉冲强磁场中心能充分发挥国家基础研究平台的作用，凝聚国内外一大批科研人员，并围绕这一主题形成一个紧密合作的科研团队，进而提升在量子磁性和阻挫物理研究方面的国际竞争力。

第二届“冯·克利钦”讲座的成功举办，为我校师生搭建了一个与国内外知名学者对话、交流的平台，与会专家在高度肯定中心各项装置建设成果的同时，也为中心今后的发展提出了宝贵建议。