（通讯员 叶煜豪）7月11日，应国家脉冲强磁场科学中心朱增伟教授邀请，浙江大学谢燕武研究员为师生作了题为“钽酸钾（KTaO₃）界面超导”的学术报告。

当今电子器件的成功根植于以硅为代表的传统半导体界面，而一些氧化物表现出非常神奇的性质，SiTiO₃是最早发现的半导体超导体，具有极低的载流子浓度，而KTaO₃与SiTiO₃的结构以及电学等各种物性非常相似。报告中，谢燕武研究员介绍了课题组近期在LaAlO₃/KTaO₃界面的研究进展。他们利用脉冲激光沉积，在KTaO₃基片上生长LaAlO₃薄膜，发现LaAlO₃/KTaO₃(110)界面二维超导，超导温度达到了0.9K。不同于之前的超薄超导薄膜是通过改变薄膜厚度控制无序，他们通过电场调控LaAlO₃/KTaO₃(111)界面超导来实现连续调控，可以用来调控量子物态，开展量子相变、高温超导物理机理等研究，这是屈指可数的能被电场有效调控的二维超导体系。同时，他们探究LaAlO₃/KTaO₃界面电子气的形成机制，支持从LaAlO₃薄膜中的氧空位向界面LaKTaO₃转移电子，第一次报道了通过离子液体调控获取LaAlO₃/KTaO₃表面超导，得到界面超导的根源是电子参杂的KTaO₃表面。通过原子力扫描探针调控LaAlO₃/KTaO₃界面超导，该调控具有非挥发性、局域性、可擦写性和强健性。

谢燕武，浙江大学物理学院研究员。2001年本科毕业于吉林大学物理系，2007年博士毕业于中科院物理所，2007-2009年在燕山大学亚稳材料国家重点实验室工作，2009-2015年先后在日本东京大学和美国斯坦福大学从事博士后研究工作，2015年6月加入浙江大学物理学院。主要从事复杂氧化物界面的实验物理研究，已在Science、Nature Materials、Nature Communications、Science Advances、Physical Review Letters、Advanced Materials等期刊发表研究论文70余篇。