题目：电控拓扑态在石墨烯中的传输特性

报告人：乔振华 教授

        中国科学技术大学物理学院

时间：2018年10月10日下午16:00

地点：国家脉冲强磁场科学中心C204

报告摘要：

在双层石墨烯中应用层间电位差或单层石墨烯中使用AB交错电位差可以打开大量带隙以支持量子谷霍尔效应。势的空间变化可以产生一个拓扑受限的状态，沿着这条线，势为零。我们证明了这种状态是零弯曲的，并进一步论证了由两条和三条拓扑零线构成的拓扑交叉点上的划分规则。

报告人简介：

乔振华，2005年本科毕业于山西大学物理基地专业，2009年毕业于香港大学获博士学位，之后在美国德州大学奥斯汀分校进行博士后研究。2013年加入中国科学技术大学。至今，在Rep. Prog. Phys., Nature Nano, PRL, Nanture Comm, Nano Letter, PRB等期刊共发表50余篇SCI论文，引用2000多次。

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