测量原理

脉冲场下的磁卡效应测量采用接触式温度计直接测量样品温度变化。将高灵敏度薄膜温度计镀于样品表面，采用四线电阻测量法获得温度计电阻随磁场变化曲线，再经过精密校准，最后获得绝热条件下样品温度随磁场变化曲线。

                              图1 磁卡效应测量原理图

测量条件

磁场强度：0-60T

测量温度：1.5-300K(氦四)

测量精度：50mK

样品形貌：单晶、陶瓷

样品尺寸：大于1mmÍ1mm，小于8mmÍ8mm

                            图2 磁卡效应样品装配方法图

典型数据

磁卡效应是指样品在磁场作用下发生的吸热或者放热现象，脉冲强磁场下的磁卡效应测量能够在绝热条件下直接探测样品温度随磁场的变化关系，是研究物质磁性、量子材料、巨磁卡效应等体系中磁相变、热力学参数和磁热行为的重要实验手段。图3显示了多铁量子材料Co₂V₂O₇ 绝热条件下的磁卡效应曲线。

          图3 Co₂V₂O₇脉冲场绝热温变曲线[Phys. Rev. B 108, 224405 (2023)]

相关文献

1. Phys. Rev. B 108, 224405 (2023), R. Chen, et al. 

2. NPG Asia Materials 15, 41(2023), P. Liu, et al. 

3. J. Phys.: Condens. Matter 33, 205402 (2021), C. Dong, et al. 

联系人

董超(Email: dongchao#hust.edu.cn，#换成@)