题目：稀土化合物单晶的磁性和磁结构研究

报告人：任卫军 研究员，中国科学院金属研究所

时间：2024年6月13日（周四）上午10：00

地点：国家脉冲强磁场科学中心C204

报告摘要：

探索新型稀土功能材料不仅具有科学意义，还能推动科技进步，发展新型产业，提高稀土综合利用水平。稀土化合物是稀土功能材料的核心，其内禀性能是材料功能化应用的基础和保证。我们用自助溶剂法生长了几种新型稀土化合物的毫米级单晶，如不能用多晶法合成的二元化合物a-DyGa₃、磁致冷化合物HoAl₂Ge₂、四元稀土化合物Pr₂PdAl₇Ge₄和HoPdAl₄Ge₂，研究了它们的磁相关基本物理性能以及温度和磁场引起的磁相变，并用中子衍射方法确定了它们的磁结构。

报告人简介：

任卫军，男，中国科学院金属研究所研究员。1992年毕业于上海交通大学材料科学专业，2003年在中国科学院金属研究所获得工学博士学位。先后在奥地利维也纳技术大学、香港理工大学、美国罗格斯(新泽西州立)大学、布鲁克海文国家实验室访问或博士后研究。围绕磁致伸缩、磁致冷和新型稀土化合物单晶生长和中子衍射等领域开展研究工作，在Adv. Mater.、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett. 等国际学术期刊上发表SCI论文120多篇，其中第一或通讯作者论文50多篇，h因子27。