2010年5月12日下午4点，中国科学院物理研究所方忠研究员到访我中心并为中心广大师生做了题为《拓扑绝缘体研究进展》的学术报告。

       方忠研究员从简单的几何图形深入浅出的介绍了什么是拓扑绝缘体，以及拓扑绝缘体的奇特性质；唯像的介绍了拓扑绝缘体的能级特征，以及如何调整能级的位置来从试验上获得拓扑绝缘体。从一个开放的角度介绍了拓扑绝缘体研究领域的研究课题和研究的重要意义。报告结束后，中心师生积极提问，方忠研究员进行了一一解答，进行了较充分的交流。并就利用脉冲强磁场实验装置开展拓扑绝缘体的实验验证方面合作做了初步探讨。

       方忠，1970年生于湖北，1991年毕业于华中理工大学（现华中科技大学）物理系，1996年在华中理工大学获得博士学位。1996年至2003年，先后访问日本、美国等国的多个高等研究机构。2003年回国在中科院物理研究所工作，现任研究员、博士生导师。2004年获得国家杰出青年科学基金。2005年入选百千万人才工程国家级人选。2007年作为首席科学家承担科技部“量子调控重大研究计划”研究项目。2008年作为学术带头人获得基金委创新研究群体资助。2008年获得茅以升青年科技奖。2008获得国际理论物理中心颁发的ICTP奖。共发表SCI论文60余篇，其中包括Science文章3篇，Nature Phys.文章1篇，Phys. Rev. Lett. 文章14篇，共被他引1400余次。